矽片上下料皮帶線

A. 請問太陽能電池（矽片）的生產工藝原理是怎樣的

太陽能電池片生產製造工藝

太陽能電池片的生產工藝流程分為矽片檢測——表面制絨——擴散制結——去磷硅玻璃——等離子刻蝕——鍍減反射膜——絲網印刷——快速燒結等。具體介紹如下：

一、矽片檢測

矽片是太陽能電池片的載體，矽片質量的好壞直接決定了太陽能電池片轉換效率的高低，因此需要對來料矽片進行檢測。該工序主要用來對矽片的一些技術參數進行在線測量，這些參數主要包括矽片表面不平整度、少子壽命、電阻率、P/N型和微裂紋等。該組設備分自動上下料、矽片傳輸、系統整合部分和四個檢測模塊。其中，光伏矽片檢測儀對矽片表面不平整度進行檢測,同時檢測矽片的尺寸和對角線等外觀參數；微裂紋檢測模塊用來檢測矽片的內部微裂紋；另外還有兩個檢測模組，其中一個在線測試模組主要測試矽片體電阻率和矽片類型，另一個模塊用於檢測矽片的少子壽命。在進行少子壽命和電阻率檢測之前，需要先對矽片的對角線、微裂紋進行檢測，並自動剔除破損矽片。矽片檢測設備能夠自動裝片和卸片，並且能夠將不合格品放到固定位置，從而提高檢測精度和效率。

二、表面制絨

單晶硅絨面的制備是利用硅的各向異性腐蝕，在每平方厘米硅表面形成幾百萬個四面方錐體也即金字塔結構。由於入射光在表面的多次反射和折射，增加了光的吸收，提高了電池的短路電流和轉換效率。硅的各向異性腐蝕液通常用熱的鹼性溶液，可用的鹼有氫氧化鈉，氫氧化鉀、氫氧化鋰和乙二胺等。大多使用廉價的濃度約為1%的氫氧化鈉稀溶液來制備絨面硅，腐蝕溫度為70-85℃。為了獲得均勻的絨面，還應在溶液中酌量添加醇類如乙醇和異丙醇等作為絡合劑，以加快硅的腐蝕。制備絨面前，矽片須先進行初步表面腐蝕，用鹼性或酸性腐蝕液蝕去約20～25μm，在腐蝕絨面後，進行一般的化學清洗。經過表面准備的矽片都不宜在水中久存，以防沾污，應盡快擴散制結。

三、擴散制結

太陽能電池需要一個大面積的PN結以實現光能到電能的轉換，而擴散爐即為製造太陽能電池PN結的專用設備。管式擴散爐主要由石英舟的上下載部分、廢氣室、爐體部分和氣櫃部分等四大部分組成。擴散一般用三氯氧磷液態源作為擴散源。把P型矽片放在管式擴散爐的石英容器內，在850---900攝氏度高溫下使用氮氣將三氯氧磷帶入石英容器，通過三氯氧磷和矽片進行反應，得到磷原子。經過一定時間，磷原子從四周進入矽片的表面層，並且通過硅原子之間的空隙向矽片內部滲透擴散，形成了N型半導體和P型半導體的交界面，也就是PN結。這種方法制出的PN結均勻性好,方塊電阻的不均勻性小於百分之十,少子壽命可大於10ms。製造PN結是太陽電池生產最基本也是最關鍵的工序。因為正是PN結的形成，才使電子和空穴在流動後不再回到原處，這樣就形成了電流，用導線將電流引出，就是直流電。

四、去磷硅玻璃

該工藝用於太陽能電池片生產製造過程中，通過化學腐蝕法也即把矽片放在氫氟酸溶液中浸泡，使其產生化學反應生成可溶性的絡和物六氟硅酸，以去除擴散制結後在矽片表面形成的一層磷硅玻璃。在擴散過程中，POCL3與O2反應生成P2O5淀積在矽片表面。P2O5與Si反應又生成SiO2和磷原子，這樣就在矽片表面形成一層含有磷元素的SiO2，稱之為磷硅玻璃。去磷硅玻璃的設備一般由本體、清洗槽、伺服驅動系統、機械臂、電氣控制系統和自動配酸系統等部分組成，主要動力源有氫氟酸、氮氣、壓縮空氣、純水，熱排風和廢水。氫氟酸能夠溶解二氧化硅是因為氫氟酸與二氧化硅反應生成易揮發的四氟化硅氣體。若氫氟酸過量，反應生成的四氟化硅會進一步與氫氟酸反應生成可溶性的絡和物六氟硅酸。

五、等離子刻蝕

由於在擴散過程中，即使採用背靠背擴散，矽片的所有表麵包括邊緣都將不可避免地擴散上磷。PN結的正面所收集到的光生電子會沿著邊緣擴散有磷的區域流到PN結的背面，而造成短路。因此，必須對太陽能電池周邊的摻雜硅進行刻蝕，以去除電池邊緣的PN結。通常採用等離子刻蝕技術完成這一工藝。等離子刻蝕是在低壓狀態下，反應氣體CF4的母體分子在射頻功率的激發下，產生電離並形成等離子體。等離子體是由帶電的電子和離子組成，反應腔體中的氣體在電子的撞擊下，除了轉變成離子外，還能吸收能量並形成大量的活性基團。活性反應基團由於擴散或者在電場作用下到達SiO2表面，在那裡與被刻蝕材料表面發生化學反應，並形成揮發性的反應生成物脫離被刻蝕物質表面，被真空系統抽出腔體。

六、鍍減反射膜

拋光硅表面的反射率為35%,為了減少表面反射,提高電池的轉換效率,需要沉積一層氮化硅減反射膜。現在工業生產中常採用PECVD設備制備減反射膜。PECVD即等離子增強型化學氣相沉積。它的技術原理是利用低溫等離子體作能量源，樣品置於低氣壓下輝光放電的陰極上，利用輝光放電使樣品升溫到預定的溫度，然後通入適量的反應氣體SiH4和NH3，氣體經一系列化學反應和等離子體反應，在樣品表面形成固態薄膜即氮化硅薄膜。一般情況下，使用這種等離子增強型化學氣相沉積的方法沉積的薄膜厚度在70nm左右。這樣厚度的薄膜具有光學的功能性。利用薄膜干涉原理，可以使光的反射大為減少，電池的短路電流和輸出就有很大增加，效率也有相當的提高。

七、絲網印刷

太陽電池經過制絨、擴散及PECVD等工序後，已經製成PN結，可以在光照下產生電流，為了將產生的電流導出，需要在電池表面上製作正、負兩個電極。製造電極的方法很多，而絲網印刷是目前製作太陽電池電極最普遍的一種生產工藝。絲網印刷是採用壓印的方式將預定的圖形印刷在基板上，該設備由電池背面銀鋁漿印刷、電池背面鋁漿印刷和電池正面銀漿印刷三部分組成。其工作原理為：利用絲網圖形部分網孔透過漿料，用刮刀在絲網的漿料部位施加一定壓力，同時朝絲網另一端移動。油墨在移動中被刮刀從圖形部分的網孔中擠壓到基片上。由於漿料的粘性作用使印跡固著在一定范圍內，印刷中刮板始終與絲網印版和基片呈線性接觸，接觸線隨刮刀移動而移動，從而完成印刷行程。

八、快速燒結

經過絲網印刷後的矽片，不能直接使用，需經燒結爐快速燒結，將有機樹脂粘合劑燃燒掉，剩下幾乎純粹的、由於玻璃質作用而密合在矽片上的銀電極。當銀電極和晶體硅在溫度達到共晶溫度時，晶體硅原子以一定的比例融入到熔融的銀電極材料中去，從而形成上下電極的歐姆接觸，提高電池片的開路電壓和填充因子兩個關鍵參數，使其具有電阻特性，以提高電池片的轉換效率。

燒結爐分為預燒結、燒結、降溫冷卻三個階段。預燒結階段目的是使漿料中的高分子粘合劑分解、燃燒掉，此階段溫度慢慢上升；燒結階段中燒結體內完成各種物理化學反應，形成電阻膜結構，使其真正具有電阻特性，該階段溫度達到峰值；降溫冷卻階段，玻璃冷卻硬化並凝固，使電阻膜結構固定地粘附於基片上。

九、外圍設備

在電池片生產過程中，還需要供電、動力、給水、排水、暖通、真空、特汽等外圍設施。消防和環保設備對於保證安全和持續發展也顯得尤為重要。一條年產50MW能力的太陽能電池片生產線，僅工藝和動力設備用電功率就在1800KW左右。工藝純水的用量在每小時15噸左右，水質要求達到中國電子級水GB/T11446.1-1997中EW-1級技術標准。工藝冷卻水用量也在每小時15噸左右，水質中微粒粒徑不宜大於10微米，供水溫度宜在15-20℃。真空排氣量在300M3/H左右。同時，還需要大約氮氣儲罐20立方米，氧氣儲罐10立方米。考慮到特殊氣體如硅烷的安全因素，還需要單獨設置一個特氣間，以絕對保證生產安全。另外，硅烷燃燒塔、污水處理站等也是電池片生產的必備設施。

B. 矽片分選機遇到什麼故障需模組重啟一次

輸送皮帶問題。矽片分選機是對矽片生產過程中進行全自動檢測的機器。在發生不正常運行或精密度、效率等誤差時，是輸送的皮帶出了問題，需要模組進行重啟才可以，重啟後需要對傳輸的皮帶進行檢查，查看存在異物的情況，並作出相應的解決措施。

C. 內園式切割機的切割方法

專利名稱：內圓切割機的製作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種切割機，尤其涉及一種切割硬脆晶體材料的裝置。
背景技術：
眾所周知，內圓切割機是切割加工單晶硅、陶瓷、玻璃、藍寶石等硬脆晶體材料的常用設備；目前的內圓切割機通常由機架、設在該機架上的主軸總成、固定在該機架上的工作台、設在該工作台上可作橫向運動的橫向進給總成、以及設在該橫向進給總成上可作上下運動的送料總成構成。這種傳統的內圓切割機存在以下缺陷I)由於固定在送料總成上的工件夾頭固定不動，僅僅利用主軸帶動刀環旋轉來對工件進行切割，因此切割尺寸受到了內圓刀片幾何尺寸的限制，切割尺寸較小。例如內徑為Φ 235mm、外徑為Φ 690mm的標准刀片最大切割尺寸為165mm。2)由於夾持棒料的工件夾頭固定不動，僅僅利用主軸帶動刀環旋轉來對工件進行切割，因此棒料與內圓刀片的接觸為圓弧線接觸，而且該圓弧線的長度在整過切割過程中呈現由短變長、再由長變短的周期性變化，從而引起切割力也呈現由小變大、再由大變小周期性變化；最終導致內圓刀片快速磨損、甚至損壞。3)由於在整過切割過程中切割力為一個變值，因此若以內圓刀片與棒料剛接觸時的切割力為基準來確定一個較高的切割速度，則會由於切割至棒料芯部時因切割力逐漸增大而損壞刀片；反之，若以內圓刀片切割至棒料芯部時的切割力為基準來確定一個較低的切割速度，雖然刀片不會損壞，但切割效率則會大幅下降。發明內容為了克服現有技術中存在的缺陷，本實用新型旨在提供一種加工尺寸范圍大、切割效率高、刀片使用壽命長的內圓切割機。為了實現上述目的，本實用新型採用以下技術方案它包括機架、設在該機架上的主軸總成、固定在該機架上的工作台、設在該工作台上的橫向進給總成、設在該橫向進給總成上的送料總成；所述主軸總成由固定在機架上的主軸、固定在該主軸上的刀環、驅動該主軸轉動的第一電機構成；所述工作台由固定在機架上且橫跨在刀環上方的龍門架構成；所述橫向進給總成由設在該龍門架上的橫向滑座、固定在龍門架上並通過第一絲杠帶動橫向滑座作橫向運動的第二電機構成；所述送料總成由固定在橫向滑座上的立向導軌座、設在該立向導軌座上的立向滑座、固定在立向導軌座上並通過第二絲杠帶動該立向滑座作上下運動的第四電機、固定在立向滑座上的軸套、設在該軸套中的轉軸、固定在該轉軸下端的工件夾頭、固定在立向滑座上並通過傳統機構驅動轉軸轉動的第三電機構成；所述送料總成上設有機械手總成，該機械手總成由固定在立向滑座上的導軌座、設在該導軌座上的溜板、固定在導軌座上並通過第三絲杠帶動該溜板上下運動的第五電機、固定在溜板上並向下延伸至工件夾頭下方的機械手臂、固定在該機械手臂上並與轉軸同軸的軸承構成。橫向滑座上設有配重機構，該配重機構由固定在橫向滑座上的滑輪架、固定在該滑輪架上的兩個定滑輪、一端固定有配重塊另一端繞過所述兩定滑輪與立向滑座固連的繩索構成；立向導軌座的下端由固定龍門架上的輔助導軌支承。與現有技術比較，本實用新型由於採用了上述技術方案，因此具有以下優點I)將原來的懸臂式工作台改為了龍門架結構，因此加強了工作台的剛性、提高了、整機的加工精度；2)由於在送料總成上增加了轉軸，因此工件夾頭能夠通過該轉軸帶動棒料旋轉，從而在整個切割過程中棒料與內圓刀片的接觸始終為點接觸(接觸點為兩圓內切的切點)；徹底避免了傳統切割方式棒料與內圓刀片的接觸為長度變化的圓弧線接觸，刀片受力更加均勻，有效地克服了刀片在周期性交變切割力作用下容易磨損或損壞的缺陷，延長了刀具的使用壽命。3)由於在整個切割過程中棒料與內圓刀片始終為點接觸，因此能夠選擇一個合理而較高的切割速度，大幅度提高了加工效率。4)由於在整個切割過程中棒料也要旋轉，因此在內圓刀片規格不變的情況下工件的加工尺寸可擴大一倍。

圖I是本實用新型的結構示意圖；圖2是圖I中的右視圖；圖3是圖I中的左視圖。圖中機架I 主軸2 刀環3 罩殼4 龍門架5 工件夾頭6 輔助導軌7 轉軸8 第二電機9 第一絲杠10 立向滑座11 橫導軌12 齒輪副13 橫向滑座14 第三電機15 立導軌16 立向導軌座17 第二絲杠18 第四電機19定滑輪20 滑輪架21 第五電機22 第三絲杠23 繩索24 溜板25 溜板導軌26 導軌座27 軸套28 機械手臂29 軸承30 第一電機31 皮帶32 配重塊3具體實施方式
以下結合附圖和具體的實施例對本實用新型作進一步說明在圖I 3中，主軸總成固定在機架I上，該主軸總成由固定在機架I上的第一電機31和主軸2、固定在該主軸上的刀環3、分別固定在第一電機31和主軸2上的皮帶盤、連接該兩皮帶盤的皮帶32構成。在機架I上固定有工作台，該工作台由固定在機架I上並橫跨在刀環3上方的龍門架5構成。所述工作台上設有橫向進給總成，該橫向進給總成由固定在龍門架5上的橫導軌12、設在該橫導軌上的橫向滑座14、固定在龍門架5上的第二電機9、一端與該第二電機的軸連接另一端與橫向滑座14連接的第一絲杠10構成,在第二電機9的驅動下該第一絲杠可帶動橫向滑座14沿橫導軌12作左右橫向運動。橫向滑座14上固定有送料總成，該送料總成由固定在橫向滑座14上的立向導軌座17、固定在該立向導軌座上的立導軌16、設在該立導軌上的立向滑座11、固定在立向導軌座17上的第四電機19、固定在立向滑座11上的軸套28、設在該軸套中的轉軸8、固定在該轉軸下端的工件夾頭6、固定在立向滑座11上的第三電機15、分別固定在轉軸8和該第三電機上的一對齒輪副13、一端與第四電機19連接另一端與立向滑座11連接的第二絲杠18構成，在第四電機19的驅動下該第二絲杠可帶動立向滑座11沿立導軌16作上下運動。在立向滑座11上固定有機械手總成，該機械手總成由固定在立向滑座11上的導軌座27、固定在該導軌座上的溜板導軌26、設在該溜板導軌上的溜板25、固定在導軌座27上的第五電機22、一端與該第五電機的軸連接另一端與溜板25連接的第三絲杠23、固定在溜板25上且向下延伸至工件夾頭6下方的機械手臂29、固定在該機械手臂上並與轉軸8同軸的軸承30構成，在第五電機22的驅動下該第三絲杠23可帶動溜板25沿溜板導軌26作上下運動。[0021]為了操縱靈活，在橫向滑座14上固定有配重機構；該配重機構由固定在橫向滑座14上的滑輪架21、固定在該滑輪架上的兩個定滑輪20、一端固定有配重塊33另一端繞過所述兩定滑輪與立向滑座11固連的繩索24構成。為了保證立向導軌座17運動平穩，該立向導軌座的下端由固定龍門架5上的輔助導軌7支承。為了安全，在機架I上固定有將刀環罩住的罩殼4。工作時，將棒料(圖中未示出)夾持在工件夾頭6上，通過第五電機22調整機械手臂29 (以軸承30剛好與棒料接觸為宜)，然後通過第四電機19將送料總成和機械手總成同時降下至內圓刀片(圖中未示出)的內孔中，啟動第一電機31和第三電機15，軸承30在摩擦力的作用下與棒料同步轉動，橫向進給總成在第二電機9的驅動下作橫向進給運動；當內圓刀片切割至棒料芯部中央時，停止第三電機15、棒料停止轉動，內圓刀片將棒料切斷， 被切割短的棒料由軸承30承接。
權利要求1.一種內圓切割機，包括機架、設在該機架上的主軸總成、固定在該機架上的工作台、設在該工作台上的橫向進給總成、設在該橫向進給總成上的送料總成；其特徵在於所述主軸總成由固定在機架(I)上的主軸(2 )、固定在該主軸上的刀環(3 )、驅動該主軸(2 )轉動的第一電機(31)構成；所述工作台由固定在機架(I)上且橫跨在刀環(3)上方的龍門架(5)構成；所述橫向進給總成由設在該龍門架上的橫向滑座(14)、固定在龍門架(5)上並通過第一絲杠(10)帶動橫向滑座(14)作橫向運動的第二電機(9)構成；所述送料總成由固定在橫向滑座(14 )上的立向導軌座(17)、設在該立向導軌座上的立向滑座(11)、固定在立向導軌座(17)上並通過第二絲杠(18)帶動該立向滑座作上下運動的第四電機(19)、固定在立向滑座(11)上的軸套(28 )、設在該軸套中的轉軸(8 )、固定在該轉軸下端的工件夾頭(6 )、固定在立向滑座(11)上並通過傳統機構驅動轉軸(8 )轉動的第三電機(15 )構成；所述送料總成上設有機械手總成，該機械手總成由固定在立向滑座(11)上的導軌座(27)、設在該導軌座上的溜板(25)、固定在導軌座(27)上並通過第三絲杠(23)帶動該溜板上下運動的第五電機(22)、固定在溜板(25)上並向下延伸至工件夾頭(6)下方的機械手臂(29)、固定在該機械手臂上並與轉軸(8)同軸的軸承(30)構成。
2.根據權利要求I所述的內圓切割機，其特徵在於橫向滑座(14)上設有配重機構，該配重機構由固定在橫向滑座(14)上的滑輪架(21)、固定在該滑輪架上的兩個定滑輪(20)、一端固定有配重塊(33)另一端繞過所述兩定滑輪與立向滑座(11)固連的繩索(24)構成。
3.根據權利要求I或2所述的內圓切割機，其特徵在於立向導軌座(17)的下端由固定龍門架(5)上的輔助導軌(7)支承。
專利摘要本實用新型公開了一種內圓切割機，屬於硬脆晶體材料切割裝置；旨在提供一種加工尺寸范圍大、切割效率高、刀片使用壽命長的硬脆晶體材料切割裝置。它包括機架、主軸總成、工作台、橫向進給總成、和送料總成；主軸總成由主軸(2)、第一電機(31)構成；工作台由龍門架(5)構成；橫向進給總成由滑座(14)、第一絲杠(10)、第二電機(9)構成；送料總成由立向導軌座(17)、立向滑座(11)、第二絲杠(18)、第四電機(19)、轉軸(8)、工件夾頭(6)、第三電機(15)構成；送料總成上設有機械手總成，它由導軌座(27)、溜板(25)、第三絲杠(23)、第五電機(22)、機械手臂(29)和軸承(30)構成。
文檔編號B28D1/24GK202480261SQ20122004181
公開日2012年10月10日 申請日期2012年2月9日 優先權日2012年2月9日
發明者陶德華 申請人:貴州華龍電子設備有限公司

D. 硅料價格上漲150%，對哪些企業會產生影響

硅材料的價格上漲不錯，但這對龍脊和CNC來說是一大利好！在許多投資者看來，硅材料價格的上漲極大地影響了矽片企業的利潤率！然而，他們沒有看到更深的一面。光伏產業帶來了政策和需求的雙重好處。今年以來，硅材料價格一路上漲，從年初的8萬元/噸漲到20萬元/噸，漲幅高達150%。價格上漲已經傳導到矽片、電池晶元、模塊製造商和終端電站，整個光伏產業鏈受到影響。

硅材料經過洗滌、篩選和乾燥後，根據所用還原劑的類型，按不同比例進行配比，每種材料的比例由計算機程序控制，從料倉收集到皮帶上，通過進料過程均勻混合，然後進入電爐；自動化程度高、規模大的喂料過程是連續的。精煉過程需要攪拌，採用壓縮空氣攪拌。其目的是改善渣-金屬元素相反應的動力學條件，加速結渣，盡快去除雜質，減少熱損失和硅液粘附。

E. 微處理器是怎樣製造出來的

1.第一層.
您取出一張利用激光器剛剛從類似干香腸一樣的硅柱上切割下來的矽片，它的直徑約為20cm。英特爾可以在每一矽片上製作數百個微處理器。每一個微處理器都不足一平方厘米。這兒我們所看到的是一片晶片上的一個微處理器。一個矽片上的一個微處理器。2.矽片鍍膜
在矽片表面增加一層由我們的老朋友二氧化硅(SiO2)構成的絕緣層。這是通過微處理器導電的基礎。3.光刻膠
隨後在其上鍍上一種稱為「光刻膠」的材料。這種材料在經過紫外線照射後會變軟、變粘。4.光刻掩模
在我們考慮製造工藝前很久，就早有一非常聰明的人士一定要設計出微處理器，並且想盡方法使其按他們的設計意圖工作。微處理器電路設計的照相掩模貼放在光刻膠的上方。5.曝光.
於是將掩模和矽片曝光於紫外線。這就象是放大機中的一張底片。該掩模允許光線照射到矽片上的某區域而不能照射到另一區域，這就形成了該設計的潛在映像。 6.刻蝕. 採用一種溶液將光線照射後完全變軟變粘的光刻膠「塊」除去，這就露出了其下的二氧化硅。本工藝的最後部分是除去曝露的二氧化硅以及殘余的光刻膠。對每層電路都要重復該光刻掩模和刻蝕工藝，有時重復多達20次，這得由所生產微處理器的復雜程度來確定。盡管所有這些聽起來象來自「星球大戰」的高科技，但刻蝕實際上是一種非常古老的工藝。幾個世紀以前，該工藝最初是被藝術家們用來在紙上、紡織品上甚至在樹木上創作精彩繪畫的。在微處理器的生產過程中，該照相刻蝕工藝可以依照電路圖形刻蝕成導電細條，其厚度比人的一根頭發絲還細許多倍。7.摻雜.現在我們從矽片上已曝露的區域開始，首先倒入一化學離子混合液中。這一工藝改變摻雜區的導電方式，使得每個晶體管可以通、斷、或攜帶數據。將此工藝一次又一次地重復，以製成該微處理器的許多層。不同層可通過開啟窗口聯接起來。電子以高達400MHz或更高的速度在不同的層面間流上流下，窗口是通過使用掩膜重復掩膜、刻蝕步驟開啟的。窗口開啟後就可以填充他們了。窗口中填充的是種最普通的金屬－鋁。8.完工的晶體管把它接入自動測試設備中，這個設備每秒可作一萬次檢測，以確保它能正常工作。在通過所有的測試後必須將其封入一個陶瓷的或塑料的封殼中，這樣它就可以很容易地裝在一塊電路板上了。 在Intel微處理器工廠的內部
目前Intel具有14家晶元製造廠。這是一項緩慢且耗資巨大的任務。為何如此昂貴? 盡管微處理器的基本原料是沙子，但工廠內空氣中的一粒灰塵就可能毀掉成千上萬的晶元。因此生產微處理器的環境需非常干凈。事實上，工廠中生產晶元的超凈化室比醫院內的手術室還要潔凈1萬倍。「一級」的超凈化室最為潔凈，每平方英尺只有一粒灰塵。為達到如此一個無菌的環境而採用的技術多令人難以置信。在每一個超凈化室里，空氣每分鍾要徹底更換一次。空氣從天花板壓入，從地板吸出。凈化室內部的氣壓稍高於外部氣壓。這樣，如果凈化室中出現裂縫，那麼內部的潔凈空氣也會通過裂縫溜走－防止受污染的空氣流入。但是這只是事情一半。工作人員又是如何在超凈化室中工作的呢？在晶元製造廠里，Intel有上千名員工。他們都穿著特殊的稱為「兔裝」的工作服。兔裝是由一種特殊的非棉絨、抗靜電纖維製成的，它可以防止灰塵、臟物和其它污染損壞生產中的計算機晶元。這兔裝有適合每一個人的各種尺寸以及一系列顏色，甚至於白色。員工可以將兔裝?;在普通衣服的外面，但必須經過含有54個單獨步驟的嚴格著裝程序。您每一次進入和離開超凈化室都必須重復這個程序。因此，您一?;進入凈化室就會停留一陣。兔裝中將有許多不同的部分可以將您用顯微鏡才能看見的皮屑、頭發、唾沫星、灰塵、砂石和塵垢的微小顆粒罩在兔裝內。兔裝的手術面罩可以罩住面部的毛發。頭罩是種類似浴帽的東西。齊膝的靴子套在塑料鞋罩的外面。在戴過程中戴上尼龍手套以防止弄臟您的兔裝。兔裝的主體是一個長袖長褲腿的「整體」設計。您身體的任一部分都不能曝露在外面。接著是您的隔離系統頭盔。該頭盔可以過濾您呼出的空氣以免直接進入凈化室。呼出的氣體由連接在您皮帶上的一個小型壓縮機吸收。皮帶上帶有壓縮機和電池組，可以使用4－6個小時。為了保護眼睛，每個人在頭盔下都必須佩戴某種類型的眼睛保護裝置。最後一項是您的乳膠手套，可以防止油或灰垢靠近任何高度敏感的微處理器區域。在製造車間里，英特爾的技術專家們切割矽片，並准備印刻電路模板等一系列復雜程序。這個步驟將矽片變成了一個半導體，它可以象晶體管一樣有打開和關閉兩種狀態。這些打開和關閉的狀態對應於數字電碼。把成千上萬個晶體管集成在英特爾的微處理器上，能表示成千上萬個電碼，這樣您的電腦就能處理一些非常復雜的軟體公式了。 資料來源：硬體學堂